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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
56
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
2026
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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