RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
52
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
2813
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link