RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link