RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3609
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link