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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
52
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,906.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,672.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,906.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
698
2353
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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