RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2353
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link