Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Gesamtnote
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Unterschiede

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 50
    Rund um 50% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 8.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13% höhere Bandbreite
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    3419 left arrow 2386
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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