Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Unterschiede

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 36
    Rund um -16% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.7 left arrow 15
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.6 left arrow 10.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.0 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.3 left arrow 14.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2569 left arrow 3509
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RAM 1
RAM 2

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