RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3509
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link