RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
2437
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link