RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1884
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link