RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1884
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link