RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
5.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1884
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link