Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Unterschiede

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15 left arrow 14.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.3 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 36
    Rund um -33% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    36 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.0 left arrow 14.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.3 left arrow 10.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2569 left arrow 2173
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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