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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
36
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
6.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2569
1890
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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