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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1890
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
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