RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2688
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link