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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
33
Por volta de -10% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2688
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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