RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3584
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link