RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3458
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link