RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
3038
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link