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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
35
读取速度,GB/s
17.6
15.4
写入速度,GB/s
12.0
12.5
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3038
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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