RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
33
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
1758
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link