RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
68
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
14.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3460
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link