RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
比較する
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
総合得点
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
総合得点
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
68
周辺 -143% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
1,702.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
68
28
読み出し速度、GB/s
3,886.6
17.9
書き込み速度、GB/秒
1,702.6
14.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
654
3460
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link