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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2900
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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