RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2732
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link