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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2732
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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