RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3030
3146
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link