RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Comparar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
44
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
44
Velocidade de leitura, GB/s
17.9
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3030
3146
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link