RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
3237
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link