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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
15.8
17.7
写入速度,GB/s
11.8
14.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
3237
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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