RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2508
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link