RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2497
2609
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link