RAM-Vergleich Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Gesamtnote

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 43

Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 14

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.3 11.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2497 2867

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns