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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
43
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
43
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
2867
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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