RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
41
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2322
2791
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link