RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3409
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64CP8-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link