RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
42
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2476
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link