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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
42
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
42
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2476
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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