RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
42
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2476
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link