Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB

Unterschiede

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 30
    Rund um 23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 8.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    23 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2269 left arrow 3044
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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