RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
31
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3367
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link