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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
20.6
写入速度,GB/s
8.0
14.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3367
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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