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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
19.1
写入速度,GB/s
10.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3680
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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