RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3443
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link