RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
3550
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link