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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
18.6
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3550
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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