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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
40
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
21
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.9
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3034
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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