RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
29
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2589
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link